IRF640N (JSMSEMI), Транзистор

Производитель: JSMSEMI

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 200
• Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 18
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 150
• Емкость, пФ: 1200
• Заряд затвора, нКл: 38
• Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
• Транспортная упаковка: размер/кол-во: 59*33*18/2000
• Способ монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220
• Упаковка: TUBE, 50 шт.