IRF640NSTRLPBF, Транзистор

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 200
• Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 18
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 150
• Емкость, пФ: 1160
• Заряд затвора, нКл: 67
• Описание: 200V, 18A N-Channel MOSFET
• Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 4V @ 250µA
• Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
• Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 150 Вт
• Вес брутто: 2.26
• Способ монтажа: поверхностный (SMT)
• Корпус: TO-263 (D2PAK)
• Упаковка: REEL, 800 шт.
• MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1