IRF7103TRPBF, Транзистор

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 50
• Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 3
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 130
• Емкость, пФ: 290
• Заряд затвора, нКл: 30
• Описание: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
• Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 3В
• Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
• Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 2 Вт
• Вес брутто: 0.22
• Способ монтажа: поверхностный (SMT)
• Корпус: SOIC-8
• Упаковка: REEL, 4000 шт.