IRF7341TRPBF, Транзистор

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: 2N
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
• Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 4,7
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 43
• Заряд затвора, нКл: 24
• Описание: 55V, 4.7A 2N-Channel MOSFET
• Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 1В
• Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
• Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 2 Вт
• Вес брутто: 0.24
• Способ монтажа: поверхностный (SMT)
• Корпус: SOIC-8
• Упаковка: REEL, 4000 шт.