IRF7341TRPBF, Транзистор, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8]
Артикул: N-6582
Наличие
в наличии
в наличии
69 ₽
× 69 = 69 ₽
от 10 шт — 65 ₽
от 100 шт — 61 ₽
Цена в розничных магазинах: 90 ₽
Характеристики:
- Тип: MOSFET
- Тип проводимости: 2N
- Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
- Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 4,7
- Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 43
- Заряд затвора, нКл: 24
- Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 1В
- Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
- Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
- Мощность: рассеиваемая (Pd) - 2 Вт
- Крутизна характеристики, S: 7.9
- Способ монтажа: поверхностный (SMT)
- Корпус: SOIC-8


![IRF7341TRPBF, Транзистор, 2N-канала 55В 4.7А [SO-8] - изображение 1](/files/images/products/570964/gallery_iujojesc.jpg)