IRF7343TRPBF, Транзистор

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N+P
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 55 / -55
• Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 4,7 / -3,4
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 50
• Емкость, пФ: 740
• Заряд затвора, нКл: 36
• Описание: MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 55V 4.7A
• Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 1В
• Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
• Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 2 Вт
• Вес брутто: 0.25
• Способ монтажа: поверхностный (SMT)
• Корпус: SOIC-8
• Упаковка: REEL, 4000 шт.