IRF7842TRPBF, Транзистор

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 40
• Емкость, пФ: 4500
• Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 4 В
• Диапазон рабочих температур: -55…+155 °С
• Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт
• Вес брутто: 0.17
• Способ монтажа: поверхностный (SMT)
• Корпус: SOIC-8
• Упаковка: REEL, 4000 шт.