IRFB7430PBF, Транзистор

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В: 40
• Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А: 195
• Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм: 1,3
• Емкость, пФ: 14240
• Заряд затвора, нКл: 460
• Пороговое напряжение затвор-исток Vgs (th), В: 1,8
• Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
• Напряжение затвор-исток (Vgs), В: ± 20
• Вес брутто: 3.18
• Способ монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220
• Упаковка: TUBE, 50 шт.
• Описание: MOSFET 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC