IRFBG30PBF, Транзистор
Артикул: R-121127
Наличие
Магазин Москва10 октября
Магазин Мытищи10 октября
Доставка 99 ₽
Минимальный заказ: 15 шт
Кратность заказа: 1 шт
Кратность заказа: 1 шт
× 99 = 1 485 ₽
Технические характеристики:
- Тип: MOSFET
- Тип проводимости: N
- Максимальное напряжение сток-исток, В: 1000
- Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 5
- Емкость, пФ: 980
- Заряд затвора, нКл: 80
- Описание: MOSFET 1000V N-CH HEXFET
- Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 4В
- Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
- Время: задержки включения/ выключения - 25/ 29 нс
- Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
- Мощность: рассеиваемая (Pd) - 125 Вт
- Вес брутто: 2.82
- Способ монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
- Упаковка: TUBE, 1000 шт.