IRFBG30PBF, Транзистор

MOSFET 1000V N-CH HEXFET

Производитель: VISHAY

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 1000
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 5
• Емкость, пФ: 980
• Заряд затвора, нКл: 80
• Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 4В
• Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
• Время: задержки включения/ выключения - 25/ 29 нс
• Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 125 Вт
• Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*50*50/1000
• Способ монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Упаковка: TUBE, 1000 шт.