IRFR1205TRPBF, Транзистор

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В: 55
• Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А: 44
• Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм: 27
• Напряжение затвор-исток (Vgs), В: ± 20
• Пороговое напряжение затвор-исток Vgs (th), В: 1,8
• Емкость, пФ: 1300
• Заряд затвора, нКл: 65
• Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
• Вес брутто: 0.59
• Тип монтажа: поверхностный (SMT)
• Корпус: TO-252 (DPAK)
• Упаковка: REEL, 2000 шт.
• Описание: MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC