IRFR1205TRPBF, Транзистор

MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC

Производитель: Infineon Technologies

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
• Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 44
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 27
• Емкость, пФ: 1300
• Заряд затвора, нКл: 65
• Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
• Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
• Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 107 Вт
• Транспортная упаковка: размер/кол-во: 59*46*46/2000
• Способ монтажа: поверхностный (SMT)
• Корпус: TO-252 (DPAK)
• Упаковка: REEL, 2000 шт.