IRFR5410TRPBF, Транзистор

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: P
• Максимальное напряжение сток-исток, В: -100
• Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -13
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 205
• Емкость, пФ: 760
• Заряд затвора, нКл: 58
• Описание: MOSFET 1 P-CH -100V HEXFET 205mOhms 70nC
• Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 4В
• Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
• Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 66 Вт
• Вес брутто: 0.65
• Способ монтажа: поверхностный (SMT)
• Корпус: TO-252 (DPAK)
• Упаковка: REEL, 2000 шт.