IRGP4063DPBF (JSMSEMI), Транзистор

IGBT 650 В, 50 А, Vce(sat) 1.65 В, TO-247

Производитель: JSMSEMI

Технические характеристики:

• Тип: IGBT
• Максимальное напряжение КЭ (Vces), В: 650
• Максимальный ток коллектора (Ic), А: 100
• Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В: 1,65
• Пороговое напряжение ЗЭ (Vge(th)), В: 5,3
• Потери на переключение, мДж: 2,6
• Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
• Заряд затвора, нКл: 183
• Транспортная упаковка: размер/кол-во: 59*33*18/225
• Корпус: TO-247
• Способ монтажа: Through Hole