IRLR120NTRPBF, Транзистор

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 100
• Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 10
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 185
• Емкость, пФ: 440
• Заряд затвора, нКл: 20
• Описание: MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
• Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
• Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
• Время: задержки включения/ выключения - 35/ 22 нс
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 48 Вт
• Вес брутто: 0.63
• Способ монтажа: поверхностный (SMT)
• Корпус: TO-252 (DPAK)
• Упаковка: REEL, 2000 шт.