IRLR2905TRPBF, Транзистор

MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC

Производитель: Infineon Technologies

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 55
• Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 42
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 40
• Емкость, пФ: 1700
• Заряд затвора, нКл: 48
• Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В
• Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
• Время: задержки включения/ выключения - 84/ 15 нс
• Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 16 В
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 69 Вт
• Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*50*50/2000
• Способ монтажа: поверхностный (SMT)
• Корпус: TO-252 (DPAK)
• Упаковка: REEL, 2000 шт.
• MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1