КТ831Г (200*г), Транзистор

Технические характеристики:

• Конфигурация: n-p-n
• Ток: эмиттера обратный: <1000 мкА
• Мощность: рассеиваемая макс.: 1 Вт
• Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В
• Коэффициент: передачи тока статический: >20
• Напряжение: насыщения между коллектором и эмиттером: <2 В
• Частота: коэффициента передачи тока граничная: >4 МГц
• Максимальный ток: коллектора импульсный: 4 А
• Рабочая температура: -60…+100 °С
• Максимальная температура: перехода: 150 °С