RJP30H1DPD, Транзистор IGBT N-канал, 360В 30А 40Вт [D-PAK]

Артикул: N-7396
RJP30H1DPD, Транзистор IGBT N-канал, 360В 30А 40Вт [D-PAK] - изображение 1

О товаре

Артикул
N-7396
Бренд
RENESAS
Максимальный ток коллектор-эммитер при 25 гр. С,A
30
Максимальное напряжение к-э, В
360
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
40
Корпус
D-PAK
Структура
N-канал
Показать все

Наличие

Магазин Москва
23 августа
Магазин Мытищи
в наличии
Доставка
159
 × 159  =  159
от 10 шт — 155 ₽
Цена в розничных магазинах: 191

Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.