SIHG20N50C-E3, Транзистор

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 500
• Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 270
• Емкость, пФ: 2942
• Заряд затвора, нКл: 76
• Описание: 500V, 20A N-Channel MOSFET
• Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 5 В
• Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
• Мощность: рассеиваемая - 250 Вт
• Вес брутто: 6.50
• Способ монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-247-3
• Упаковка: TUBE, 25 шт.
• MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1