STD10NM60N, Транзистор

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 600
• Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 10
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 550
• Емкость, пФ: 550
• Заряд затвора, нКл: 19
• Описание: N-Channel 600 V 10A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount DPAK
• Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 4 В
• Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С
• Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 25 В
• Мощность: рассеиваемая (max) - 70 Вт
• Вес брутто: 0.56
• Способ монтажа: поверхностный (SMT)
• Корпус: TO-252 (DPAK)
• Упаковка: REEL, 2000 шт.
• MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1