IRF640NPBF, Транзистор

Технические характеристики:

• Тип: MOSFET
• Тип проводимости: N
• Максимальное напряжение сток-исток, В: 200
• Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 18
• Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 150
• Емкость, пФ: 1160
• Заряд затвора, нКл: 67
• Описание: 200V, 18A N-Channel MOSFET
• Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 2В
• Диапазон рабочих температур: -55…+175 °С
• Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В
• Мощность: рассеиваемая (Pd) - 130 Вт
• Вес брутто: 3.07
• Способ монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220
• Упаковка: TUBE, 50 шт.
• MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1